Транзистор IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 27 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTY1R6N100D2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFA4N100P |
SMD |
N |
150 |
1000 |
20 |
5 |
4 |
3.3 |
26 |
300 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXFP4N100P |
PTH |
N |
150 |
1000 |
20 |
5 |
4 |
3.3 |
26 |
300 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTA1R6N100D2 |
SMD |
N |
100 |
1000 |
20 |
- |
1.6 |
10 |
27 |
- |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTA2N100 |
SMD |
N |
100 |
1000 |
20 |
4.5 |
2 |
7 |
18 |
800 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTP1R6N100D2 |
PTH |
N |
100 |
1000 |
20 |
- |
1.6 |
10 |
27 |
- |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTP2N100 |
PTH |
N |
100 |
1000 |
20 |
4.5 |
2 |
7 |
18 |
800 |
- |
150 |
TO-220 |
| STP3NB100 |
PTH |
N |
100 |
1000 |
30 |
3 |
3 |
5.3 |
22 |
12 |
80 |
150 |
TO-220 |
| STP7N105K5 |
PTH |
N |
110 |
1050 |
30 |
5 |
4 |
2 |
17 |
7 |
40 |
150 |
TO-220 |
| STU7N105K5 |
PTH |
N |
110 |
1050 |
30 |
5 |
4 |
2 |
17 |
7 |
40 |
150 |
IPAK |
| STW7N105K5 |
PTH |
N |
110 |
1050 |
30 |
5 |
4 |
2 |
17 |
7 |
40 |
150 |
TO-247 |