Транзистор IXZ308N120

IXZ308N120 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: -

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 880 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1200 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 6.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.1 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 59 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IXZ308N120 можно заменить на:

Нет элементов для замены