Транзистор IXZH10N50LB
IXZH10N50LB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247AD
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.95 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 78 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXZH10N50LB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXZH10N50LA |
PTH |
N |
250 |
500 |
20 |
4.95 |
10 |
1 |
- |
- |
78 |
175 |
TO-247AD |