Транзистор KDB4020P
KDB4020P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 37.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 9.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 270 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор KDB4020P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM20P03-60D |
SMD |
P |
50 |
32 |
25 |
1 |
24 |
0.059 |
6.4 |
2.8 |
130 |
175 |
TO-252 |