Транзистор KDB6030L
KDB6030L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 52 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0135 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 34 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 150 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 640 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор KDB6030L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP85T03GH |
SMD |
N |
107 |
30 |
20 |
3 |
75 |
0.006 |
33 |
77 |
550 |
175 |
TO-252 |
| AP85T03GJ |
PTH |
N |
107 |
30 |
20 |
3 |
75 |
0.006 |
33 |
77 |
550 |
175 |
TO-251 |
| SPMT16040F |
PTH |
N |
187 |
40 |
20 |
3 |
80 |
0.004 |
25 |
62 |
590 |
175 |
TO-220AB |
| SSM85T03GH |
SMD |
N |
107 |
30 |
20 |
3 |
75 |
0.006 |
33 |
77 |
550 |
175 |
TO-252 |
| SSM85T03GJ |
PTH |
N |
107 |
30 |
20 |
3 |
75 |
0.006 |
33 |
77 |
550 |
175 |
TO-251 |
| SUM70N03-09CP |
SMD |
N |
93 |
30 |
20 |
3 |
70 |
0.0095 |
31 |
80 |
410 |
175 |
TO-263 |