Транзистор KHB1D0N70G
KHB1D0N70G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 9 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 23.5 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор KHB1D0N70G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STF3N80K5 |
PTH |
N |
20 |
800 |
30 |
5 |
2.5 |
3.5 |
9.5 |
7.5 |
14 |
150 |
TO-220FP |
| STF5N105K5 |
PTH |
N |
25 |
1050 |
30 |
5 |
3 |
3.5 |
12.5 |
8.5 |
16 |
150 |
TO-220FP |
| STFW2N105K5 |
PTH |
N |
30 |
1050 |
30 |
5 |
2 |
8 |
10 |
8.5 |
15 |
150 |
TO-3PF |