Транзистор KHB1D2N80D
KHB1D2N80D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 13 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор KHB1D2N80D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KHB1D2N80I |
PTH |
N |
50 |
800 |
30 |
- |
1.2 |
13 |
- |
90 |
25 |
150 |
IPAK |