Транзистор KHB4D0N80P1

KHB4D0N80P1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-220AB

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 130 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 59.5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 68 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 160 гр.Ц

Транзистор KHB4D0N80P1 можно заменить на:

Нет элементов для замены