Транзистор KMB012N30QA
KMB012N30QA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: FLP8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 27 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 420 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор KMB012N30QA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17552Q3A |
SMD |
N |
2.6 |
30 |
20 |
1.9 |
15 |
0.006 |
9 |
7.4 |
385 |
150 |
SON3.3X3.3 |
| CSD18533Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
60 |
20 |
2.3 |
17 |
0.0059 |
14 |
5.5 |
292 |
150 |
SON5X6 |
| RS1E200GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
20 |
0.0046 |
16.8 |
7.2 |
275 |
150 |
HSOP8 |