Транзистор KMB3D9N40TA
KMB3D9N40TA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSM
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.029 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 78 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор KMB3D9N40TA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM4002S |
SMD |
N |
2.5 |
40 |
20 |
2.5 |
7.2 |
0.026 |
5.5 |
2.2 |
76 |
150 |
SOP-8 |