Транзистор KP8N65D

KP8N65D - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: IPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 78 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.62 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 21 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 500 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор KP8N65D можно заменить на:

Нет элементов для замены