Транзистор KQB630
KQB630 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 78 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 75 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 85 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор KQB630 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB630TM |
SMD |
N |
78 |
200 |
25 |
4 |
9 |
0.4 |
19 |
75 |
85 |
150 |
D2PAK |
| FQP630TSTU |
PTH |
N |
78 |
200 |
25 |
4 |
9 |
0.4 |
19 |
75 |
85 |
150 |
TO-220 |
| STD13N65M2 |
SMD |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
10 |
0.43 |
17 |
7.8 |
27.5 |
150 |
DPAK |
| STP12N60M2 |
PTH |
N |
85 |
600 |
25 |
4 |
9 |
0.45 |
16 |
9.2 |
29 |
150 |
TO-220 |
| STP13N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
10 |
0.43 |
17 |
7.8 |
27.5 |
150 |
TO-220 |
| STU12N60M2 |
PTH |
N |
85 |
600 |
25 |
4 |
9 |
0.45 |
16 |
9.2 |
29 |
150 |
IPAK |
| STU13N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
10 |
0.43 |
17 |
7.8 |
27.5 |
150 |
IPAK |