Транзистор L1N60 полевой MOSFET, его характеристики

L1N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в разных корпусах как для поверхностного монтажа, так и с выводами для монтажа через отверстия
Корпус: TO-252,TO-251

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.2 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 11.5 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор L1N60 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
1N60	SMD и PTH	N	40	600	30	-	1.2	9.3	-	25	20	150	TO-220,TO-92,SOT223,TO-126,TO-251,TO-252
1N65	SMD и PTH	N	40	650	30	-	1.2	9.5	-	25	20	150	TO-220,TO-92,SOT223,TO-126,TO-251,TO-252,TO-220F,DFN8
AOD1N60	SMD	N	45	600	30	5	1.3	9	-	6.7	14.5	150	TO-252
AOI1N60	PTH	N	45	600	30	4.5	1.3	9	-	6.7	14.5	150	TO-251A
AOI1N60L	PTH	N	45	600	30	4.5	1.3	9	-	6.7	14.5	150	TO-251A
AOT1N60	PTH	N	41.7	600	30	4.5	1.3	9	-	6.7	14.5	150	TO-220
AOU1N60	PTH	N	45	600	30	5	1.3	9	-	6.7	14.5	150	TO-251
APQ1HSN60AA	PTH	N	44	600	30	4	1.8	5.5	-	20	20	150	TO-251
APQ1HSN60AB	SMD	N	44	600	30	4	1.8	5.5	-	20	20	150	TO-252
FQB1N60TM	SMD	N	40	600	30	5	1.2	11.5	5	25	20	150	D2PAK
FQU2N60CTU	PTH	N	44	600	30	4	1.9	4.7	8.5	25	20	150	IPAK
FTD02N60B	SMD	N	43	600	30	-	1.9	5.5	-	19	19.5	150	TO-252
FTD02N60C	SMD	N	70	600	30	-	2	4.4	-	15	20	150	TO-252
FTU02N60B	PTH	N	43	600	30	-	1.9	5.5	-	19	19.5	150	TO-251
FTU02N60C	PTH	N	70	600	30	-	2	4.4	-	15	20	150	TO-251
HFU2N60	PTH	N	44	600	30	-	1.8	5	-	25	20	150	TO-251
MSQ2N60	SMD	N	45	600	30	4	2	4.8	-	25	20	150	SON5X6
MSU2N60S	PTH	N	44	600	30	4	2	4.7	-	24	20	150	TO-251
MTN2N60I3	PTH	N	44	600	30	-	2	4	-	25	20	150	TO-251
PNMDP600V1	SMD	N	44	600	30	4	1.3	9	-	6.7	14.5	150	TO-252
SMK0260IS	PTH	N	48	600	30	-	2	4.7	-	25	20	150	IPAK
SSF2N60D1	SMD	N	48	600	30	4	2	4.7	7	25	20	150	TO-252
STD2N105K5	SMD	N	60	1050	30	5	1.5	8	10	8.5	15	150	DPAK
STD2N80K5	SMD	N	45	800	30	5	2	4.5	9.5	12	8	150	DPAK
STD2N95K5	SMD	N	45	950	30	5	2	5	10	13.5	9	150	DPAK
STD3N80K5	SMD	N	60	800	30	5	2.5	3.5	9.5	7.5	14	150	DPAK
STD4N80K5	SMD	N	60	800	30	5	3	2.5	10.5	15	18	150	DPAK
STD5N95K5	SMD	N	70	950	30	5	3.5	2.5	12.5	16	17	150	DPAK
STP1N105K3	PTH	N	60	1050	30	4.5	1.4	11	13	7	15	150	TO-220
STP2N105K5	PTH	N	60	1050	30	5	1.5	8	10	8.5	15	150	TO-220
STP2N80K5	PTH	N	45	800	30	5	2	4.5	9.5	12	8	150	TO-220
STP2N95K5	PTH	N	45	950	30	5	2	5	10	13.5	9	150	TO-220
STP3N80K5	PTH	N	60	800	30	5	2.5	3.5	9.5	7.5	14	150	TO-220
STP4N80K5	PTH	N	60	800	30	5	3	2.5	10.5	15	18	150	TO-220
STP5N105K5	PTH	N	85	1050	30	5	3	3.5	12.5	8.5	16	150	TO-220
STP5N95K5	PTH	N	70	950	30	5	3.5	2.5	12.5	16	17	150	TO-220
STU2N105K5	PTH	N	60	1050	30	5	1.5	8	10	8.5	15	150	IPAK
STU2N80K5	PTH	N	45	800	30	5	2	4.5	9.5	12	8	150	IPAK
STU2N95K5	PTH	N	45	950	30	5	2	5	10	13.5	9	150	IPAK
STU3N80K5	PTH	N	60	800	30	5	2.5	3.5	9.5	7.5	14	150	IPAK
STU4N80K5	PTH	N	60	800	30	5	3	2.5	10.5	15	18	150	IPAK
WFD2N60B	SMD	N	46	600	30	4	2	5	9	23	15	150	TO-252
WFU2N60B	PTH	N	46	600	30	4	2	5	9	23	15	150	TO-251