Транзистор LND150K1
LND150K1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-236AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.36 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.013 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.85 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 450 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор LND150K1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| LND150N3 |
PTH |
N |
0.74 |
500 |
20 |
- |
0.03 |
0.85 |
- |
450 |
2 |
150 |
TO-92 |
| LND150N8 |
SMD |
N |
1.6 |
500 |
20 |
- |
0.03 |
0.85 |
- |
450 |
2 |
150 |
TO-243AA |
| LND250 |
SMD |
N |
0.36 |
500 |
20 |
- |
0.013 |
0.85 |
- |
450 |
2 |
150 |
TO-236AB |