Транзистор LP4101LT1G
LP4101LT1G - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.95 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15.23 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.73 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 145.54 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор LP4101LT1G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| LP2301LT1G |
SMD |
P |
0.9 |
20 |
8 |
0.95 |
2.3 |
0.1 |
15.23 |
3.73 |
145.54 |
150 |
SOT-23 |
| TSM3441CX6 |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
8 |
0.95 |
3.3 |
0.09 |
15.23 |
3.73 |
145.54 |
150 |
SOT-26 |
| TSM4433CS |
SMD |
P |
2.5 |
20 |
8 |
0.95 |
3.9 |
0.09 |
15.23 |
3.73 |
145.54 |
150 |
SOP-8 |