Транзистор LSI1012XT1G

LSI1012XT1G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SC-89

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 6 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.9 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.7 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 0.75 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор LSI1012XT1G можно заменить на:

Нет элементов для замены