Транзистор MCP87030

MCP87030 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PDFN5X6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.6 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0035 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 730 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MCP87030 можно заменить на:

Нет элементов для замены