Транзистор MCU05N60
MCU05N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 72 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MCU05N60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APQ06SN60A |
PTH |
N |
125 |
600 |
30 |
4 |
6 |
1.2 |
- |
47 |
70 |
150 |
TO-220 |
| APQ06SN60AH |
PTH |
N |
125 |
600 |
30 |
4 |
6 |
1.2 |
- |
47 |
70 |
150 |
TO-220 |
| CS16N60A8H |
PTH |
N |
180 |
600 |
30 |
4 |
16 |
0.5 |
54 |
52 |
18.5 |
150 |
TO-220AB |
| FQB6N60CTM |
SMD |
N |
125 |
600 |
30 |
4 |
5.5 |
2 |
16 |
45 |
65 |
150 |
D2PAK |
| FQI6N60CTU |
PTH |
N |
125 |
600 |
30 |
4 |
5.5 |
2 |
16 |
45 |
65 |
150 |
I2PAK |