Транзистор MDD1501RH
MDD1501RH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.7 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 67.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0056 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12.2 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 261 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MDD1501RH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MDIS1501TH |
PTH |
N |
44.6 |
30 |
20 |
2.7 |
67.4 |
0.0056 |
- |
12.2 |
261 |
150 |
TO-251VS |