Транзистор MDD1901RH
MDD1901RH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.022 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 26 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 235 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MDD1901RH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD4124 |
SMD |
N |
150 |
100 |
25 |
4 |
54 |
0.021 |
- |
9 |
164 |
175 |
TO-252 |
| BUK7Y22-100E |
SMD |
N |
147 |
100 |
20 |
4 |
49 |
0.022 |
47 |
17 |
225 |
175 |
LFPAK56 |
| SUP50N10-21P |
PTH |
N |
125 |
100 |
20 |
4 |
50 |
0.021 |
45 |
10 |
227 |
150 |
TO-220AB |