Справочник электронных компонентов

Транзистор MDD1902RH

MDD1902RH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.028 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 27.5 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 230 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MDD1902RH можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB414	SMD	N	150	100	25	4	51	0.025	-	4	165	175	TO-263
AOD4124	SMD	N	150	100	25	4	54	0.021	-	9	164	175	TO-252
AOD4126	SMD	N	100	100	25	4	43	0.024	-	4	165	175	TO-252
AOD464	SMD	N	100	105	25	4	40	0.028	38.5	8.2	204	175	TO-252
AOI4126	PTH	N	100	100	25	4	43	0.024	-	4	165	175	TO-251A
AOT404	PTH	N	100	105	25	4	40	0.028	38.5	8.2	204	175	TO-220
AOT414	PTH	N	115	100	25	4	43	0.025	-	4	165	175	TO-220
BUK7Y22-100E	SMD	N	147	100	20	4	49	0.022	47	17	225	175	LFPAK56
IPW65R019C7	PTH	N	446	650	20	4	75	0.019	215	27	160	150	TO-247
IPZ65R019C7	PTH	N	446	650	20	4	75	0.019	215	27	160	150	TO-247-4
SUP50N10-21P	PTH	N	125	100	20	4	50	0.021	45	10	227	150	TO-220AB