Транзистор MDD3N50GRH
MDD3N50GRH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 45 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MDD3N50GRH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD4T60P |
SMD |
N |
83 |
600 |
30 |
5 |
4 |
2.1 |
- |
19 |
22 |
150 |
TO-252 |
| AOI4T60P |
PTH |
N |
83 |
600 |
30 |
5 |
4 |
2.1 |
- |
19 |
22 |
150 |
TO-251A |
| STB6N80K5 |
SMD |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
D2PAK |
| STD4N80K5 |
SMD |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
3 |
2.5 |
10.5 |
15 |
18 |
150 |
DPAK |
| STD5N95K5 |
SMD |
N |
70 |
950 |
30 |
5 |
3.5 |
2.5 |
12.5 |
16 |
17 |
150 |
DPAK |
| STD6N80K5 |
SMD |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
DPAK |
| STI6N80K5 |
PTH |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
I2PAK |
| STP4N80K5 |
PTH |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
3 |
2.5 |
10.5 |
15 |
18 |
150 |
TO-220 |
| STP5N95K5 |
PTH |
N |
70 |
950 |
30 |
5 |
3.5 |
2.5 |
12.5 |
16 |
17 |
150 |
TO-220 |
| STP6N80K5 |
PTH |
N |
85 |
800 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
13 |
7.5 |
25 |
150 |
TO-220 |
| STU4N80K5 |
PTH |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
3 |
2.5 |
10.5 |
15 |
18 |
150 |
IPAK |