Справочник электронных компонентов

Транзистор MDD4N60BRH

MDD4N60BRH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 67.5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 60 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MDD4N60BRH можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB7S65	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOB7S65L	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOD7S65	SMD	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-252
AOI7S65	PTH	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-251A
AOU7S65	PTH	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-251
AOW7S65	PTH	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-262
MDI4N60BTH	PTH	N	67.5	600	30	4	3.5	2	-	15	60	150	TO-251
SIHB6N65E	SMD	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-263
SIHD6N62E	SMD	N	78	620	30	4	6	0.9	17	10	36	150	TO-252
SIHD6N65E	SMD	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-252
SIHP6N65E	PTH	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-220AB
SIHU6N62E	PTH	N	78	620	30	4	6	0.9	17	10	36	150	TO-251
SIHU6N65E	PTH	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-251