Справочник электронных компонентов

Транзистор MDF12N50BTH

MDF12N50BTH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор MDF12N50BTH можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB25S65 SMD N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-263
AOB25S65L SMD N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-263
AOB27S60 SMD N 357 600 30 4 27 0.16 - 33 80 150 TO-263
AOB27S60L SMD N 357 600 30 4 27 0.16 - 33 80 150 TO-263
AOK27S60L PTH N 357 600 30 4 27 0.16 - 33 80 150 TO-247
AOT25S65 PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220
AOT25S65L PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220
AOT27S60L PTH N 357 600 30 4 27 0.16 - 33 80 150 TO-220
AOTF15S65 PTH N 50 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-220F
AOTF25S65 PTH N 50 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220F
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
AOW25S65 PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-262
MDP12N50BTH PTH N 165 500 30 4 11.5 0.65 - 35 126 150 TO-220
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHB15N50E SMD N 156 500 30 4 14.5 0.28 33 24 51 150 TO-263
SIHB20N50E SMD N 179 500 30 4 19 0.184 46 27 87 150 TO-263
SIHB22N65E SMD N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-263
SIHG20N50E PTH N 179 500 30 4 19 0.184 46 27 87 150 TO-247AC
SIHG22N60E PTH N 227 600 30 4 21 0.18 57 27 90 150 TO-247AC
SIHG22N65E PTH N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-247AC
SIHH14N60E SMD N 147 600 30 4 16 0.255 41 21 74 150 PowerPAK8X8
SIHH21N60E SMD N 104 600 30 4 20 0.176 55 32 93 150 PowerPAK8X8
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SIHP15N50E PTH N 156 500 30 4 14.5 0.28 33 24 51 150 TO-220AB
SIHP20N50E PTH N 179 500 30 4 19 0.184 46 27 87 150 TO-220AB
SIHP22N65E PTH N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-220AB