Транзистор MDI1N60STH

MDI1N60STH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: IPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 28 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 8.5 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MDI1N60STH можно заменить на:

Нет элементов для замены