Справочник электронных компонентов

Транзистор MDIS4N65BTH

MDIS4N65BTH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-251VS

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 68.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.65 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 61 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MDIS4N65BTH можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB7S65	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOB7S65L	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOD7S65	SMD	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-252
AOI7S65	PTH	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-251A
AOU7S65	PTH	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-251
AOW7S65	PTH	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-262
AP65WN1K5S	SMD	N	83.3	650	30	4	6	1.5	-	22	44	150	TO-263
SIHB6N65E	SMD	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-263
SIHD6N65E	SMD	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-252
SIHP6N65E	PTH	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-220AB
SIHU6N65E	PTH	N	78	650	30	4	7	0.6	24	12	40	150	TO-251