Транзистор ME60N03
ME60N03 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0085 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 240 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ME60N03 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN3609S |
PTH |
N |
75 |
30 |
20 |
2 |
60 |
0.006 |
8 |
10 |
210 |
150 |
TO-220 |
| AOD4144 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
2.4 |
55 |
0.008 |
23 |
10 |
220 |
175 |
TO-252 |
| AON7244 |
SMD |
N |
83 |
60 |
20 |
2.5 |
50 |
0.0085 |
- |
2.5 |
215 |
150 |
DFN3.3X3.3 |
| MEN09N03BJ3 |
SMD |
N |
60 |
30 |
20 |
- |
50 |
0.007 |
- |
6 |
176 |
175 |
TO-252 |
| MTB09N03H8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
56 |
0.007 |
- |
6 |
176 |
150 |
DFN5X6 |
| MTB6D0N03AH8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
56 |
0.0068 |
- |
4 |
153 |
150 |
DFN5X6 |
| MTB6D0N03ATH8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
56 |
0.0068 |
- |
4 |
153 |
150 |
DFN5X6 |
| SM4026NSUC |
PTH |
N |
54 |
40 |
20 |
- |
67 |
0.007 |
- |
10 |
190 |
150 |
TO-251S |