Транзистор MGSF1N02LT1G

MGSF1N02LT1G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.4 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.75 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 1 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MGSF1N02LT1G можно заменить на:

Нет элементов для замены