Транзистор MMD70R750PRH

MMD70R750PRH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 59 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.75 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 18.5 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 379 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MMD70R750PRH можно заменить на:

Нет элементов для замены