Транзистор MMD70R900P
MMD70R900P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.9 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 330 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMD70R900P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP09N70P-H-LF |
PTH |
N |
156 |
700 |
30 |
4 |
8.3 |
0.85 |
- |
21 |
170 |
150 |
TO-220 |
| APT8075BVFRG |
PTH |
N |
260 |
800 |
30 |
4 |
12 |
0.75 |
130 |
11 |
270 |
150 |
TO-247 |
| CS10N70A8D |
PTH |
N |
130 |
700 |
30 |
4 |
10 |
0.9 |
39 |
25 |
155 |
150 |
TO-220AB |
| CS10N70FA9D |
PTH |
N |
50 |
700 |
30 |
4 |
10 |
0.9 |
39 |
25 |
155 |
150 |
TO-220F |
| CS10N80A8D |
PTH |
N |
160 |
800 |
30 |
4 |
10 |
0.9 |
65 |
10 |
200 |
150 |
TO-220AB |
| CS10N80FA9D |
PTH |
N |
60 |
800 |
30 |
4 |
10 |
0.9 |
65 |
10 |
200 |
150 |
TO-220F |
| MMD70R900PRH |
SMD |
N |
40 |
700 |
30 |
4 |
5 |
0.9 |
15 |
25 |
330 |
150 |
TO-252 |
| MMIS70R900PTH |
PTH |
N |
40 |
700 |
30 |
4 |
5 |
0.9 |
15 |
25 |
330 |
150 |
TO-251 |
| SML8065BVR |
PTH |
N |
280 |
800 |
30 |
4 |
13 |
0.65 |
150 |
11 |
300 |
150 |
TO-247AD |
| SML8075BVR |
PTH |
N |
260 |
800 |
30 |
4 |
12 |
0.75 |
115 |
11 |
265 |
150 |
TO-247AD |
| SML80B13F |
PTH |
N |
280 |
800 |
30 |
4 |
13 |
0.65 |
150 |
11 |
300 |
150 |
TO-247AD |