MMF80R1K2PTH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 28.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15.2 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 21.2 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 398 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMF80R1K2PTH можно заменить на:
Нет элементов для замены