Транзистор MMFT2955ET1

MMFT2955ET1 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.8 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.3 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 29 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 210 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MMFT2955ET1 можно заменить на:

Нет элементов для замены