Транзистор MMFT2N02ELT1
MMFT2N02ELT1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 73 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 430 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMFT2N02ELT1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| NVF3055L108 |
SMD |
N |
2.1 |
60 |
15 |
2 |
3 |
0.12 |
7.6 |
35 |
112 |
175 |
SOT-223 |