Транзистор MMFT5P03HDT1
MMFT5P03HDT1 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.13 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 220 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMFT5P03HDT1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM9569D |
SMD |
P |
26 |
40 |
20 |
3 |
14 |
0.09 |
7 |
20 |
80 |
150 |
TO-252 |
| LO4459PT1G |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
20 |
3 |
6.5 |
0.046 |
12.7 |
6.8 |
126 |
150 |
SOP-8 |
| RSD080P05FRA |
SMD |
P |
15 |
45 |
20 |
3 |
8 |
0.091 |
9 |
15 |
160 |
150 |
SC-63 |
| SSM9435GH |
SMD |
P |
31 |
30 |
20 |
3 |
20 |
0.05 |
10 |
18 |
187 |
150 |
TO-252 |
| SSM9435GJ |
PTH |
P |
31 |
30 |
20 |
3 |
20 |
0.05 |
10 |
18 |
187 |
150 |
TO-251 |