MMFT960T1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
- SMD-код: FT960
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 3.2 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 65 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMFT960T1 можно заменить на:
Нет элементов для замены