Транзистор MMIS70H900QTH

MMIS70H900QTH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-251

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 28 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 8 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 19 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MMIS70H900QTH можно заменить на:

Нет элементов для замены