Транзистор MMIX1F132N50P3
MMIX1F132N50P3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: IsolatedTAB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 520 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 63 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.043 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 250 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1750 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMIX1F132N50P3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFL132N50P3 |
PTH |
N |
520 |
500 |
30 |
5 |
63 |
0.043 |
250 |
9 |
1750 |
150 |
ISOPLUS264 |