Транзистор MMIX1F160N30T

MMIX1F160N30T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: IsolatedTAB

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 570 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 102 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 335 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 38 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1770 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MMIX1F160N30T можно заменить на:

Нет элементов для замены