MMIX1F40N110P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: IsolatedTAB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 6.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 24 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.29 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 310 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 55 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1070 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMIX1F40N110P можно заменить на:
Нет элементов для замены