Транзистор MMN35N03
MMN35N03 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 56 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10.26 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 277.66 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMN35N03 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM75A3PAGP |
SMD |
N |
56 |
25 |
20 |
3 |
60 |
0.009 |
10 |
4 |
270 |
150 |
TO-252 |