Транзистор MMSF2P02E
MMSF2P02E - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
- SMD-код: S2P02
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 106 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 475 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMSF2P02E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF7202 |
SMD |
P |
2.5 |
20 |
20 |
3 |
2.5 |
0.25 |
10 |
15 |
200 |
150 |
SO-8 |
| NVF5P03 |
SMD |
P |
3.13 |
30 |
20 |
3 |
5.2 |
0.1 |
15 |
33 |
153 |
150 |
SOT-223 |
| RSD080P05FRA |
SMD |
P |
15 |
45 |
20 |
3 |
8 |
0.091 |
9 |
15 |
160 |
150 |
SC-63 |