Транзистор MSD20N10
MSD20N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.28 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 40 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MSD20N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM20N10-250D |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
3.5 |
11 |
0.28 |
3.8 |
3.9 |
40 |
175 |
TO-252 |