Транзистор MSD30N06
MSD30N06 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.038 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 147 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MSD30N06 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM50N06-15D |
SMD |
N |
50 |
60 |
20 |
1 |
51 |
0.013 |
20 |
11 |
101 |
175 |
TO-252 |
| AM50N06-20D |
SMD |
N |
50 |
60 |
20 |
1 |
41 |
0.02 |
16 |
12 |
130 |
175 |
TO-252 |