Транзистор MSD30P06
MSD30P06 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 28 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.054 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MSD30P06 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM30P06-40D |
SMD |
P |
50 |
60 |
20 |
1 |
29 |
0.04 |
29 |
7 |
181 |
175 |
TO-252 |
| AM30P06-45D |
SMD |
P |
50 |
60 |
20 |
1 |
61 |
0.049 |
18 |
10 |
- |
175 |
TO-252 |
| AM90P06-20P |
PTH |
P |
300 |
60 |
20 |
1 |
90 |
0.02 |
22 |
9 |
216 |
175 |
TO-220AB |