Транзистор MSD80N03
MSD80N03 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 620 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MSD80N03 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HY110N06T |
PTH |
N |
125 |
55 |
20 |
3 |
110 |
0.0055 |
- |
12.6 |
385 |
175 |
TO-220AB |
| SUM110N05-06L |
SMD |
N |
158 |
55 |
20 |
3 |
110 |
0.006 |
65 |
15 |
625 |
175 |
TO-263 |
| SUM85N03-06P |
SMD |
N |
100 |
30 |
20 |
3 |
85 |
0.006 |
48 |
12 |
565 |
175 |
TO-263 |