Транзистор MSS34N40
MSS34N40 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOIC-8PP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.003 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MSS34N40 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP4N1R8CMT-A |
SMD |
N |
5 |
45 |
20 |
3 |
40 |
0.0018 |
- |
55 |
960 |
150 |
PMPAK5X6 |
| TK80A04K3L |
PTH |
N |
48 |
40 |
20 |
3 |
80 |
0.0024 |
190 |
20 |
1900 |
175 |
TO-220SIS |