Транзистор MTA65N15H8
MTA65N15H8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.059 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MTA65N15H8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB254L |
SMD |
N |
125 |
150 |
20 |
2.7 |
32 |
0.046 |
- |
10 |
110 |
175 |
TO-263 |
| AOD254 |
SMD |
N |
100 |
150 |
20 |
2.7 |
28 |
0.046 |
- |
10 |
110 |
175 |
TO-252 |
| AOD2544 |
SMD |
N |
75 |
150 |
20 |
2.7 |
23 |
0.054 |
- |
3 |
78 |
175 |
TO-252 |
| AOT254L |
PTH |
N |
125 |
150 |
20 |
2.7 |
32 |
0.046 |
- |
10 |
110 |
175 |
TO-220 |
| MTE65N15J3 |
SMD |
N |
60 |
150 |
30 |
- |
20 |
0.055 |
- |
5 |
117 |
175 |
TO-252 |
| MTN6515J3 |
SMD |
N |
60 |
150 |
16 |
- |
20 |
0.059 |
- |
22 |
120 |
175 |
TO-252 |