Транзистор MTA65N20H8
MTA65N20H8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 107 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 24 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.074 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 60 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 161 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор MTA65N20H8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFB4620PBF |
PTH |
N |
144 |
200 |
20 |
5 |
25 |
0.0725 |
25 |
22.4 |
125 |
175 |
TO-220AB |
| IRFB5620PBF |
PTH |
N |
144 |
200 |
20 |
5 |
25 |
0.0725 |
25 |
14.6 |
125 |
175 |
TO-220AB |