Транзистор MTB02N03H8
MTB02N03H8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0026 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 80 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 898 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTB02N03H8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP0203GMT-HF |
SMD |
N |
83.3 |
30 |
20 |
- |
155 |
0.0022 |
38 |
11.5 |
820 |
150 |
PMPAK5X6 |
| MTB03N03H8 |
SMD |
N |
60 |
30 |
20 |
- |
75 |
0.0026 |
48 |
15 |
635 |
175 |
EDFN5X6 |
| SSF3944J7-HF |
SMD |
N |
90 |
30 |
20 |
- |
150 |
0.0024 |
80 |
36 |
898 |
150 |
PQFN5X6-8L |