Транзистор MTB02N03Q8
MTB02N03Q8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0022 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 90 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 43 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 898 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTB02N03Q8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17573Q5B |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
1.8 |
43 |
0.001 |
49 |
20 |
769 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17576Q5B |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1.8 |
30 |
0.002 |
25 |
16 |
389 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18509Q5B |
SMD |
N |
3.1 |
40 |
20 |
2.2 |
38 |
0.0012 |
70 |
19 |
821 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18540Q5B |
SMD |
N |
3.1 |
60 |
20 |
2.3 |
28 |
0.0022 |
20 |
9 |
622 |
150 |
SON5X6 |
| RS1E300GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
30 |
0.0022 |
39.8 |
14.8 |
630 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E320GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
32 |
0.0019 |
42.8 |
15.6 |
740 |
150 |
HSOP8 |
| SIE860DF |
SMD |
N |
5.2 |
30 |
20 |
2.5 |
38 |
0.0021 |
70 |
20 |
850 |
150 |
PolarPAK |
| SIJ458DP |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
2.5 |
35.5 |
0.0022 |
81 |
10 |
892 |
150 |
SO-8L |
| SIR798DP |
SMD |
N |
5.4 |
30 |
20 |
2.5 |
38.2 |
0.00205 |
86 |
11 |
895 |
150 |
SO-8 |